סין מתקדמת לעבר ציפים מתחת ל-3 ננומטר בלי כלי הליתוגרפיה המתקדמים של ASML
מכון המיקרואלקטרוניקה של האקדמיה הסינית למדעים דיווח על שלב מוקדם בפיתוח טרנזיסטורים מסוג gate-all-around מתחת לרף 3 ננומטר, תוך שימוש בציוד ליתוגרפיה ישן יחסית (DUV) במקום טכנולוגיית ה-EUV המתקדמת של ASML ההולנדית, שאסורה למכירה לסין תחת סנקציות הייצוא של ארה"ב. מדובר בהישג מוקדם ורחוק ממיצור המוני, אך הוא מצטרף לשורת ניסיונות סיניים לסלול מסלול חלופי לייצור שבבים מתקדמים.