חוקרים בסין משיגים שיפור פי 100 בעמידות זיכרון פרואלקטרי עתידי
צוות חוקרים סיני, בהובלת אוניברסיטת שידיאן, הדגים שיפור של פי 100 בעמידות זיכרון פרואלקטרי מסוג וורצייט - יותר מ-10 מיליארד מחזורי כתיבה, לעומת כ-100 מיליון בהתקנים קודמים. המחקר, שפורסם בכתב העת Science, מתמודד עם אחד החסמים המרכזיים ליישום מסחרי של הטכנולוגיה בשבבים עתידיים למחשוב ולבינה מלאכותית.